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| 12.11.2024 14:00 |
Nuevos diodos de barrera Schottky de SiC de ROHM para sistemas xEV de alta tensión: presentan un diseño de encapsulado exclusivo para una resistencia de aislamiento mejorada |
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Willich-Münchheide, Alemania, 12 de noviembre de 2024 - ROHM ha desarrollado diodos de barrera Schottky (SBD) de SiC para montaje superficial que mejoran la resistencia de aislamiento al aumentar la distancia creepage entre terminales. La gama inicial incluye ocho modelos —SCS2xxxNHR— para aplicaciones de automoción como cargadores de a bordo (OBC), y está previsto desplegar ocho modelos —SCS2xxxN— para equipos industriales como dispositivos de FA e inversores fotovoltaicos en diciembre de 2024. |
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| 07.11.2024 14:00 |
Los nuevos IGBT de 1200 V de ROHM consiguen unas características de baja pérdida líderes* en la industria con una alta tolerancia al cortocircuito |
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Willich-Münchheide, Alemania, 07 de noviembre de 2024 – ROHM ha desarrollado nuevos IGBT de 4.ª generación de 1200 V con calificación AEC-Q101 de calidad automotriz que combinan características de baja pérdida líderes en su categoría* con una alta resistencia al cortocircuito. Esto hace que los dispositivos sean ideales para compresores eléctricos de vehículos y calentadores de alta tensión, así como para inversores industriales. La gama actual incluye cuatro modelos —RGA80TRX2HR / RGA80TRX2EHR / RGA80TSX2HR / RGA80TSX2EHR— en dos tipos de encapsulado discreto (TO-247-4L and TO-247N), junto con 11 variantes de bare chip —SG84xxWN— con planes de ampliar la gama en el futuro. |
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| 10.10.2024 10:00 |
ROHM en electronica 2024: Potenciando el crecimiento e inspirando la innovación |
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[Willich/Múnich, Alemania, 10 de octubre de 2024 - ROHM Semiconductor Europe espera con gran interés la celebración de electronica 2024, la feria y conferencia líder mundial para componentes, sistemas, aplicaciones y soluciones electrónicas. El evento tendrá lugar entre el 12 y el 15 de noviembre en Múnich. |
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| 08.10.2024 14:00 |
Nuevos CI de controlador de PWM de ROHM con encapsulado SOP para la alimentación eléctrica de una amplia variedad de aplicaciones industriales |
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Willich-Münchheide, Alemania, 08 de octubre de 2024 - ROHM ha desarrollado circuitos integrados (CI) de controlador externos de tipo FET que utilizan el modo de control de corriente PWM optimizado para la alimentación de CA-CC en diversas aplicaciones industriales. Ha comenzado la producción en masa de cuatro variantes diseñadas para accionar una amplia gama de semiconductores de potencia: la BD28C55FJ-LB para MOSFET de baja tensión, la BD28C54FJ-LB para MOSFET de media a alta tensión, la BD28C57LFJ-LB para IGBT y la BD28C57HFJ-LB para MOSFET de SiC. |
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| 19.09.2024 14:00 |
Los nuevos MOSFET de canal N de ROHM ofrecen una alta fiabilidad de montaje en aplicaciones para automoción |
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Willich-Münchheide, Alemania, 19 de septiembre de 2024 – ROHM ha lanzado los MOSFET de canal N —RF9x120BKFRA / RQ3xxx0BxFRA / RD3x0xxBKHRB— que presentan una baja resistencia de conducción, ideal para diversas aplicaciones de automoción, como motores para puertas y posicionamiento de asientos, así como faros LED. Las ventas han comenzado con 10 modelos repartidos en 3 tipos de encapsulado y está previsto ampliar la gama en el futuro. |
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| 05.09.2024 14:00 |
ROHM y UAES firman un acuerdo de suministro a largo plazo para dispositivos de potencia de SiC |
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Willich-Münchheide, Alemania, 05 de septiembre de 2024 – ROHM y United Automotive Electronic Systems Co., Ltd., (UAES), uno de los principales proveedores de automoción de primer nivel de China, han firmado recientemente un acuerdo de suministro a largo plazo de dispositivos de potencia de SiC. |
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