La nouvelle série de MOSFET 600V à super-jonction PrestoMOS™ de ROHM permet des économies d’énergie améliorées pour les équipements industriels type onduleurs et les systèmes d’air conditionné

La gamme étendue de 30 modèles offre le temps de récupération inverse le plus rapide de l’industrie et une flexibilité de conception améliorée

Willich-Münchheide, 18 avril 2019 – ROHM a récemment annoncé une nouvelle gamme de sa série de MOSFET 600V à super-jonction PrestoMOS™ incluant 30 nouveaux modèles. Cette série accroît la flexibilité de conception tout en maintenant le temps de récupération inverse (trr) le plus rapide de l’industrie, optimisé pour les stations de charge des VE et les moteurs des appareils ménagers tels que les réfrigérateurs et les climatiseurs (AC). (fig. 1) Des rapports montrent que près de 50 % de la demande mondiale totale d’énergie est imputable aux moteurs électriques, et ce pourcentage est appelé à augmenter avec l’expansion continue des appareils électriques dans les pays émergents et en développement. Les IGBT sont couramment utilisés comme éléments de commutation dans les onduleurs qui commandent les moteurs des appareils ménagers tels que les réfrigérateurs et les climatisations. Les tendances récentes vers l’amélioration des économies d’énergie ont poussé la demande dans de nombreuses applications pour les MOSFET avec une consommation d’énergie réduite en régime stabilisé. Pour répondre à ce besoin, ROHM a lancé en 2012 la série PrestoMOSTM de MOSFET de puissance. Cette série présente les caractéristiques de récupération inversée les plus rapides de l’industrie, réalisant ainsi une faible consommation de courant. Comme avec nos produits conventionnels, cette nouvelle série tire parti de notre technologie propriétaire de contrôle de la durée de vie pour obtenir des trr ultra-rapides. Cela permet de réduire la perte de puissance d’environ 58 % à des charges légères par rapport aux implémentations d’IGBT. De plus, augmenter la tension de référence nécessaire pour allumer le MOSFET empêche l’auto-allumage, qui est une des principales causes de pertes. De plus, l’optimisation des caractéristiques de la diode intégrée a permis d’améliorer l’indice de récupération progressive spécifique aux MOSFET à super-jonction, ce qui réduit le bruit pouvant provoquer des dysfonctionnements. L’élimination de ces obstacles à l’optimisation des circuits donne aux clients une plus grande souplesse de conception. (fig. 2) Qu’est-ce que PrestoMOSTM ? « Presto » est un terme italien de musique signifiant « très rapide ». Les MOSFET offrent des avantages tels que la haute vitesse de commutation et la faible perte de conduction dans l’état de courant relativement faible. Par exemple, dans le cas des climatiseurs, ils sont plus efficaces que les IGBT pour réduire la consommation d’énergie pendant le fonctionnement en régime stabilisé. (fig. 3) PrestoMOSTM est le MOSFET de puissance de ROHM dont la diode de boîtier se caractérise par le temps de récupération inverse (trr) le plus rapide de l’industrie qui contribue à réduire la consommation d’énergie dans les applications d’onduleurs. * PrestoMOS est une marque déposée de ROHM Les clés pour améliorer la flexibilité de conception L’augmentation de la vitesse de commutation, l’auto-allumage et la génération de bruit sont des phénomènes perturbants qui rendent nécessaire pour les clients d’optimiser les circuits en ajustant la résistance de la grille et d’autres facteurs pendant la conception du circuit. Contrairement aux MOSFET polyvalents, la série R60xxJNx de ROHM prend des mesures contre le bruit et l’auto-allumage, offrant aux clients une grande liberté de conception. 1. Moins de perte avec les contre-mesures contre l’auto-allumage L’optimisation de la capacité parasite inhérente à la structure MOSFET nous a permis de réduire de 20 % la tension de grille involontaire pendant la commutation. De plus, la conception spécialisée rend difficile l’auto-allumage en augmentant de 1,5x la tension de seuil (Vth) nécessaire à la mise sous tension du MOSFET. Cela élargit la plage de réglage de la perte en raison de la résistance de la grille et d’autres facteurs mis en œuvre par le client. (fig. 4) 2. L’amélioration des caractéristiques de récupération réduit le bruit Généralement, les caractéristiques de récupération de la diode interne du MOSFET à super-jonction montrent une récupération difficile. Cependant, en optimisant la structure interne, la série R60xxJNx de ROHM est capable d’améliorer l’indice de récupération douce de 30 % par rapport aux produits conventionnels et de réduire le bruit tout en maintenant le temps de récupération inverse (trr) le plus rapide de l’industrie. Cela permet aux clients d’ajuster facilement le bruit (c’est-à-dire en raison de la résistance de la grille). (fig. 5) Gamme (fig. 6) Applications Climatisations, réfrigérateurs et équipements industriels (par exemple stations de charge)

À propos de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant un revenu de 397,106 millions de yens (3,65 milliards de dollars américains) et employant 23 120 salariés au 31 mars 2018. ROHM Semiconductor développe et fabrique une vaste gamme de produits allant du microcontrôleur ultra faible puissance, gestion de l'énergie, circuits intégrés de standard, diodes SiC, MOSFET et modules, transistors de puissance et diodes, LED, à des composants passifs tels comme les résistances, condensateurs au tantale et des unités d'affichage à LED et têtes d'impression thermiques dans les usines de pointe au Japon, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines, en Chine et en Europe. LAPIS Semiconductor (anciennement OKI Semiconductor), SiCrystal AG et Kionix sont des sociétés du Groupe ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf au service de la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, visitez le site www.rohm.com/eu