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| 12.11.2024 14:00 |
Nouvelles diodes Schottky en SiC de ROHM pour systèmes xEV haute tension : avec une conception de boîtier unique pour une meilleure résistance d’isolement |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 12 novembre 2024 – ROHM a développé des diodes Schottky (SBD) en SiC à montage en surface qui améliorent la résistance d’isolement en augmentant la ligne de fuite entre les bornes. La gamme initiale comprend huit modèles – SCS2xxxNHR – pour les applications automobiles telles que les chargeurs embarqués (OBC), avec des plans de déploiement de huit modèles – SCS2xxxN – pour les équipements industriels tels que les appareils FA et les onduleurs PV en décembre 2024. |
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| 07.11.2024 14:00 |
Les nouveaux IGBT 1200V de ROHM présentent des caractéristiques de faible perte à la pointe de l’industrie* avec une tolérance élevée aux courts-circuits |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 07 novembre 2024 – ROHM a développé des IGBT 1200V de qualité automobile qualifiés AEC-Q101 de 4e génération combinant des caractéristiques de faible perte de premier plan* avec une résistance élevée aux courts-circuits. Ces appareils sont donc idéaux pour les compresseurs électriques de véhicules et les chauffages à haute tension, ainsi que pour les onduleurs industriels. La gamme actuelle comprend quatre modèles – RGA80TRX2HR / RGA80TRX2EHR / RGA80TSX2HR / RGA80TSX2EHR – dans deux types de boîtiers discrets (TO-247-4L et TO-247N), ainsi que 11 variantes de puces nues – SG84xxWN – avec des plans d’élargissement futur de la gamme. |
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| 10.10.2024 10:00 |
ROHM au salon electronica 2024 : Favoriser la croissance, Inspirer l’innovation |
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Willich/Munich, Allemagne, 10 octobre 2024 – ROHM Semiconductor Europe attend avec impatience electronica 2024, le salon et la conférence les plus importants au monde pour les composants électroniques, les systèmes, les applications et les solutions. L’événement aura lieu du 12 au 15 novembre à Munich. |
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| 08.10.2024 14:00 |
Nouveaux circuits intégrés de contrôleurs PWM de ROHM en boîtier SOP pour l’alimentation en courant dans une large gamme d’applications industrielles |
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Willich-Münchheide, Allemagne, le 08 octobre 2024 – ROHM a développé des circuits intégrés de contrôle externe de type FET utilisant le mode de contrôle de courant PWM optimisé pour l’alimentation en courant AC-DC dans des applications industrielles variées. La production en série a démarré pour quatre variantes conçues pour piloter une large gamme de semiconducteurs de puissance : la BD28C55FJ-LB pour les MOSFETs à basse tension, la BD28C54FJ-LB pour les MOSFETs de moyenne à haute tension, la BD28C57LFJ-LB pour les IGBT, et la BD28C57HFJ-LB pour les MOSFETs SiC. |
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| 19.09.2024 14:00 |
Les nouveaux MOSFET à canal N de ROHM offrent une fiabilité de montage élevée dans les applications automobiles |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 19 septembre 2024 – ROHM a lancé des MOSFET à canal N – RF9x120BKFRA / RQ3xxx0BxFRA / RD3x0xxBKHRB – présentant une résistance basse à l’état passant, idéaux pour de nombreuses applications automobiles, y compris les moteurs pour les portières et le positionnement de fauteuil, ainsi que les phares à LED. Les ventes ont débuté avec 10 modèles s’étendant sur 3 types de boîtiers, avec des plans d’extension future de la gamme. |
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| 05.09.2024 14:00 |
ROHM et UAES signent un accord de fourniture à long terme de composants de puissance à base de SiC |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 05 septembre 2024 – ROHM et United Automotive Electronic Systems Co., Ltd., (UAES), un fournisseur automobile majeur de rang 1 en Chine, ont récemment conclu un accord de fourniture à long terme de composants de puissance à base de SiC. |
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