La dernière génération de MOSFET doubles de ROHM : fournir une basse résistance à l’état passant de premier ordre |
Willich-Münchheide, Allemagne, 13 octobre 2021 – ROHM a développé des produits MOSFET doubles (Nch+Pch) présentant des tensions de tenue de ±40 V/±60 V : la série QH8Mx5/SH8Mx5. Les appareils sont idéaux pour entraîner des moteurs dans des stations de base (ventilateurs de refroidissement) et des applications industrielles des applications industrielles telles que les équipements d’automatisation d’usine nécessitant une entrée 24 V. (Fig. 1) Ces dernières années, les MOSFET sont de plus en plus tenus d’assurer une marge suffisante contre les fluctuations de tension en fournissant des tenues en tension de 40 V et 60 V pour prendre en charge l’entrée 24 V, cette dernièrerequise pour les moteurs utilisés dans les équipements industriels et les stations de base. Par ailleurs, on demande aux MOSFET d’offrir une commutation à vitesse plus élevée ainsi qu’une résistance à l’état passant plus basse afin d’améliorer encore l’efficacité et la miniaturisation des moteurs. Pour répondre à ces besoins, ROHM a développé ses MOSFET 40 V/60 V de 6e génération en utilisant les derniers processus de précision pour les MOSFET Nch, suite à la sortie des MOSFET Pch de dernière génération annoncée à la fin de l’année dernière. Cette combinaison permet à ROHM de fournir des MOSFET doubles Nch+Pch de pointe avec une tenues en tension de ±40 V/±60 V requise pour l’entrée 24 V. En outre, la société a également développé la série QH8Kxx/SH8Kxx (Nch+Nch) de +40 V/+60 V pour répondre à un plus large éventail de besoins. (au total 12 modèles de Nch+Pch et Nch+Nch) La série QH8Mx5/SH8Mx5 utilise les derniers processus pour parvenir à une résistance à l’état passant plus basse de premier ordre, 61 % plus basse que les MOSFET Pch dans les produits MOSFET doubles dans la classe ±40 V. Cela contribue à réduire significativement la consommation d’énergie dans de nombreuses applications. De plus, l’intégration de 2 appareils dans un seul boîtier contribue à miniaturiser les applications en réduisant la surface de montage et en diminuant la charge de travail requise pour la sélection des composants (combinaison de Nch et Pch). (Fig. 2) Par la suite, ROHM continuera d’élargir la gamme pour inclure des produits 100 V et 150 V destinés aux équipements industriels qui exigent des tensions plus élevées, contribuant ainsi aux exigences du marché vers une consommation d’énergie plus faible et une réduction de la taille d’une grande variété d’applications. Gamme de produits MOSFET doubles Nch+Pch (Tab. 1) MOSFET doubles Nch+Nch (Tab. 2) Exemples d’applications
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À propos de ROHM ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant au 31 mars 2021 un chiffre d’affaires de 3,295 milliards de dollars US et employant 22 370 salariés. La société développe et fabrique une vaste gamme de produits allant des diodes et MOSFET SiC, des circuits intégrés analogiques comme les circuits d’attaque de grille et les circuits intégrés de gestion de l’énergie, jusqu’aux transistors et diodes de puissance et composants passifs. Nos produits hautement performants sont fabriqués dans des usines à la pointe de la technologie au Japon, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines et en Chine. LAPIS Technology (anciennement OKI Semiconductor), SiCrystal GmbH et Kionix sont des sociétés du Groupe ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf, d’où elle officie pour la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, veuillez consulter le site www.rohm.com/eu |