ROHM démarre la production de HEMT GaN 150 V : avec une tension de grille révolutionnaire de 8 V

La première série de la nouvelle famille EcoGaN contribue à diminuer la consommation de courant et à atteindre une miniaturisation accrue dans les centres de données et les stations de base

Willich-Münchheide, Allemagne, 22 mars, 2022 – Les HEMT GaN 150 V GaN, série GNE10xxTB (GNE1040TB) de ROHMs augmentent la tension de tenue de grille (tension nominale de la source de grille) à une valeur de 8 V à la pointe de l’industrie, à appliquer idéalement dans les circuits d’alimentation pour les équipements industriels tels que les stations de base et les centres de données ainsi que les appareils de communication IoT. (Fig. 1) Ces dernières années, en raison de la demande croissante de systèmes de serveurs pour répondre au nombre croissant d’appareils IoT, l’amélioration de l’efficacité de la conversion de puissance et la réduction de la taille sont devenues d’importants enjeux sociétaux qui nécessitent de plus amples avancées dans le secteur des appareils d’alimentation. Comme les appareils GaN offrent des caractéristiques de commutation plus élevées et une résistance à l’état passant plus faible que les appareils à base de silicium, ils devraient contribuer à réduire la consommation d’énergie de différentes alimentations électriques et une plus grande miniaturisation des composants périphériques. En plus de produire en série des dispositifs SiC de pointe et des dispositifs en silicium riches en fonctionnalités, ROHM a développé des appareils GaN qui permettent un fonctionnement supérieur à haute fréquence dans la gamme moyenne tension, ce qui nous permet de fournir des solutions d’alimentation pour une plus grande variété d’applications. Ces nouveaux produits utilisent une structure originale qui augmente la tension nominale de la source de grille de 6 V à 8 V. En conséquence, la dégradation est évitée, même si des tensions de dépassement supérieures à 6 V se produisent pendant la commutation, ce qui contribue à améliorer la marge de conception et à accroître la fiabilité des circuits d’alimentation. La série GNE10xxTB est proposée dans un boîtier très polyvalent doté d’une dissipation thermique supérieure et d’une grande capacité de courant, facilitant la manipulation pendant le processus de montage. ROHM a déposé des appareils GaN qui contribuent à une plus grande conservation de l’énergie et à une miniaturisation accrue sous le nom EcoGaN™, et travaille à élargir la gamme avec des appareils qui améliorent les performances. À l’avenir, ROHM continuera à développer des circuits intégrés de contrôle tirant parti de technologies d’alimentation comme Nano Pulse Control™ et de modules incorporant ces circuits intégrés, ainsi que des solutions d’alimentation contribuant à une société durable en maximisant les performances des appareils GaN. Professeur Masayoshi Yamamoto, École supérieure d’ingénierie, Université de Nagoya (Japon) Cette année, le ministère de l’Économie, du Commerce et de l’Industrie du Japon s’est fixé un objectif de 30 % d’économies d’énergie pour les nouveaux centres de données d’ici 2030, soit dans moins de 10 ans à partir de maintenant. Cependant, les performances du système doivent répondre à des critères non seulement d’économies d’énergie, mais aussi de robustesse et de stabilité, car ils sont devenus un élément essentiel de notre infrastructure sociale. Pour y répondre, ROHM a développé un nouvel appareil GaN fournissant une tension de tenue de grille de 8 V, la plus élevée de l’industrie, offrant un haut degré de robustesse et de stabilité tout en réalisant des économies d’énergie supérieures. En commençant avec ces produits, ROHM continuera à améliorer l’efficacité de l’alimentation dans les sources d’alimentation en les combinant avec la technologie d’alimentation analogique propriétaire Nano Pulse Control™, créant une tendance technologique majeure aidant les industries des semiconducteurs et des télécommunications à devenir neutres en carbone d’ici 2040. (Fig. 2 + 3) Qu’est-ce que l’EcoGaN™? EcoGaN™ fait référence aux appareils GaN qui contribuent à la conservation de l’énergie et à la miniaturisation en maximisant la basse résistance à l’état passant et les caractéristiques de commutation à grande vitesse du GaN, en poursuivant les objectifs de réduire la consommation d’énergie de l’application, de miniaturiser les composants périphériques et de réduire la charge de conception ainsi que le nombre de pièces requises. *EcoGaN ™ est une marque de commerce ou une marque déposée de ROHM Co., Ltd. Exemples d’applications (Fig. 4) Circuits de convertisseur buck d’entrée 48 V pour centres de données et stations de base Circuits de convertisseur boost pour le bloc amplificateur de puissance des stations de base Circuits de commande LiDAR, circuits de recharge sans fil pour appareils portables Amplificateurs audio de classe D Circuits échantillons (Fig. 5 + 6) Gamme de produits (Fig. 7)

À propos de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant au 31 mars 2021 un chiffre d’affaires de 3,295 milliards de dollars US et employant 22 370 salariés. La société développe et fabrique une vaste gamme de produits allant des diodes et MOSFET SiC, des circuits intégrés analogiques comme les circuits d’attaque de grille et les circuits intégrés de gestion de l’énergie, jusqu’aux transistors et diodes de puissance et composants passifs. Nos produits hautement performants sont fabriqués dans des usines à la pointe de la technologie au Japon, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines et en Chine. LAPIS Technology (anciennement OKI Semiconductor), SiCrystal GmbH et Kionix sont des sociétés du Groupe ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf, d’où elle officie pour la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, veuillez consulter le site www.rohm.com