Les nouveaux MOSFET de ROHM : contribution à un meilleur rendement et à un fonctionnement plus sûr grâce à une structure d’isolation originale |
Une dissipation de puissance de premier ordre dans un boîtier compact, idéal pour les appareils de petite taille et de faible épaisseur |
Willich-Münchheide, Allemagne, 19 décembre 2022 – ROHM a récemment développé un MOSFET 20V Nch compact, le RA1C030LD, optimisé pour la commutation dans des appareils petits et fins, notamment les smartphones et les appareils connectés personnels tels que les oreillettes sans fil et autres équipements d’audition. (Fig. 1) Ces dernières années, la sophistication croissante et les besoins en puissance des appareils compacts ont nécessité des batteries plus grandes qui réduisent l’espace disponible pour le montage des composants. Dans le même temps, une limite s’impose à la taille de la batterie : pour utiliser plus efficacement sa puissance, il faut minimiser la perte de puissance des composants montés. Pour répondre à ce besoin, le développement de MOSFET dans des boîtiers à technologie d’encapsulation sur tranches contribuant à une miniaturisation plus poussée, tout en maintenant les caractéristiques nécessaires, est en train de se généraliser dans l’industrie. ROHM tire parti de ses atouts en tant que fabricant de circuits intégrés pour réduire de manière significative la résistance du câblage (qui a augmenté avec les processus discrets conventionnels). Il en résulte un MOSFET de puissance compact associé à une faible perte de puissance. Le RA1C030LD est proposé dans le boîtier à taille de puce (1,0 mm × 0,6 mm) de niveau d’encapsulation sur tranche DSN1006-3, qui tire parti du processus de circuit intégré propriétaire de ROHM pour parvenir à une basse dissipation de puissance ainsi qu’à une miniaturisation plus poussée. En ce qui concerne le facteur de mérite qui exprime la relation entre les pertes par conduction et par commutation (résistance à l’état passant × Qgd), la valeur de pointe atteinte est inférieure de 20 % à celle des produits standard dans le même boîtier (1,0 mm × 0,6 mm ou plus petit), contribuant à une surface de carte nettement plus petite ainsi qu’à une efficacité accrue dans de nombreux appareils compacts. En même temps, la structure de boîtier unique de ROHM offre une protection isolée pour les parois latérales (contrairement aux produits standard dans le même boîtier sans protection). Cela réduit le risque de courts-circuits dus au contact entre les composants dans les appareils compacts qui doivent recourir à un montage à haute densité en raison des contraintes d’espace, contribuant à un fonctionnement plus sûr. À l’avenir, ROHM continuera à développer des produits avec une résistance à l’état passant encore plus faible dans des boîtiers plus petits, contribuant à résoudre des enjeux sociétaux tels que la protection de l’environnement et améliorant l’efficacité dans de nombreux appareils compacts. (Fig. 2 + 3) Spécifications (Fig. 4) Exemples d’applications
Information ventes en ligne Date de lancement des ventes : Décembre 2022 Distributeurs en ligne : Digi-Key, Mouser, et Farnell Lancement prévu également chez d’autres distributeurs en ligne. *Étude de ROHM du 19 décembre 2022 |
À propos de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant au 31 mars 2022 un chiffre d’affaires de 452,1 milliards de yens (3,3 milliards d'euros) et qui compte plus de 23 000 employés. La société développe et fabrique une vaste gamme de produits allant des diodes et MOSFET SiC, des circuits intégrés analogiques comme les Gate Driver et les Power Management ICs, jusqu’aux transistors et diodes de puissance et composants passifs. Nos produits hautement performants sont fabriqués dans des usines à la pointe de la technologie au Japon, en Allemagne, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines et en Chine. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf, d’où elle officie pour la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, veuillez consulter le site www.rohm.com |