Nouveaux MOSFET Nch de pointe* de ROHM, à basse résistance à l’état passant  : un fonctionnement hautement efficace dans de nombreuses applications

Plage de tension de claquage de 40 V-150 V : idéale pour les entraînements de moteurs et les alimentations industrielles

Willich-Münchheide, Allemagne, 31 mai 2023 – ROHM a développé les MOSFET Nch (40 V/60 V/80 V/100 V/150 V) des séries RS6xxxxBx / RH6xxxxBx, avec 13 numéros de pièces, adaptés à des applications fonctionnant sur des alimentations 24 V/36 V/48 V comme les stations de base, les serveurs et les moteurs pour les équipements industriels et grand public. (Fig. 1) Ces dernières années, la consommation mondiale d’énergie a augmenté, ce qui a entraîné un besoin de gain d’efficacité pour des équipements industriels tels que des serveurs, des stations de base ainsi que divers moteurs. Dans un certain nombre de ces applications qui utilisent des MOSFET à tension moyenne, utilisés dans divers circuits, les fabricants exigent des pertes de puissance encore moindres. Cependant, les MOSFET généraux se caractérisent par deux paramètres principaux entraînant des pertes de puissance : la résistance à l’état passant (RDS(on)), qui est inversement proportionnelle à la taille de la puce, et la charge de drain de grille (Qgd) qui augmente proportionnellement avec la taille de la puce, ce qui rend difficile l’obtention des deux. ROHM a amélioré le compromis entre les deux en adoptant des connexions à clips en cuivre et en améliorant la structure de la grille. Les nouveaux MOSFET atteignent un RDS(on) de 2,1 mΩ à la pointe de l’industrie, soit environ 50 % de moins que les éléments conventionnels, en augmentant les performances de l’appareil et en adoptant le boîtier HSOP8/HSMT8 doté de connexions à clips en cuivre à faible résistance. De plus, l’amélioration de la structure de la grille des éléments réduit le Qgd, qui est généralement dans une relation de compromis avec RDS(on), d’environ 40 % par rapport aux produits conventionnels (en comparant les valeurs typiques pour RDS(on) et Qgd pour les produits de boîtiers HSOP8 60 V). Ces améliorations réduisent à la fois les pertes de commutation et de conduction, contribuant ainsi grandement à une plus grande efficacité des applications. Par exemple, lorsque l’on compare l’efficacité d’une carte d’évaluation de l’alimentation électrique pour des équipements industriels, les nouveaux produits de ROHM atteignent un rendement d’environ 95 % (crête) à la pointe de l’industrie dans la plage de courant de sortie en régime permanent. À l’avenir, ROHM continuera à développer des MOSFET avec un RDS(on) encore plus bas, réduisant la consommation d’électricité dans de nombreuses applications, contribuant à résoudre des enjeux sociétaux tels que la protection de l’environnement via les économies d’énergie. (Fig. 2 + 3) Gamme de produits (Fig. 4) Exemples d’applications Alimentations pour serveurs et stations de base de communication Moteurs pour produits industriels et de consommation Convient également à de nombreux circuits d’alimentation et appareils équipés de moteurs *Étude de ROHM du 31 mai 2023

À propos de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant au 31 mars 2023 un chiffre d’affaires de 507,9 milliards de yens et qui compte plus de 23 700 employés. La société développe et fabrique une vaste gamme de produits allant des diodes et MOSFET SiC, des circuits intégrés analogiques comme les Gate Driver et les Power Management ICs, jusqu’aux transistors et diodes de puissance et composants passifs. Nos produits hautement performants sont fabriqués dans des usines à la pointe de la technologie au Japon, en Allemagne, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines et en Chine. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf, d’où elle officie pour la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, veuillez consulter le site www.rohm.com