Nouvelle gamme de 5 modèles de Low ON Resistance 100V Dual-MOSFET

Consommation de courant moindre et taille de moteurs de ventilateur réduite dans les stations de base de communication et les équipements industriels dans les formats 5,0 mm × 6,0 mm et 3,3 mm × 3,3 mm

Willich-Münchheide, Allemagne, 18 octobre 2023 – ROHM a développé des MOSFET doubles intégrant deux puces de 100V dans un seul boîtier, un format idéal pour les moteurs de ventilateurs appliqués dans les stations de base de communication et les équipements industriels. Cinq nouveaux modèles ont été ajoutés dans les séries HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch) et HP8MEx (Nch+Pch). (Fig. 1) Ces dernières années ont été marquées par une transition vers des tensions plus élevées, des systèmes conventionnels 12V/24V jusqu’aux systèmes 48V, dans les stations de base de communication et les équipements industriels, avec l’objectif d’avoir une efficacité supérieure en réduisant les valeurs de courant. Dans ces situations, des MOSFET de commutation nécessitent une tension de tenue de 100V pour prendre en compte les fluctuations de tension, car des alimentations de 48V sont également utilisées dans les moteurs de ventilateurs pour le refroidissement de ces applications. Cependant, l’augmentation de la tension de claquage augmente la résistance à l’état passant (RDS(on))ce qui aboutit à une efficacité amoindrie, rendant plus difficile la réalisation à la fois d’une RDS(on) moindre et d’une tension de claquage plus élevée. De plus, contrairement aux MOSFET d’entraînements individuels multiples normalement appliqués dans les moteurs de ventilateurs, les MOSFET doubles intégrant deux puces dans un seul boîtier sont de plus en plus utilisés pour économiser de l’espace. Pour y répondre, ROHM a développé deux nouvelles séries : la HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch) et la HP8MEx (Nch+Pch) combinant des puces MOSFET Nch et Pch utilisant les derniers processus. Les deux séries parviennent à la RDS(on) la plus basse de l’industrie en adoptant de nouveaux boîtiers de dissipation de chaleur arrière avec d’excellentes caractéristiques de dissipation de la chaleur. Par conséquent, la RDS(on) est réduite de jusqu’à 56% en comparaison avec les MOSFET standard doubles (19,6 mΩ pour le HSOP8 et 57,0 mΩ pour le HSMT8 Nch+Nch), contribuant à une consommation d’énergie nettement moindre. En même temps, la combinaison de deux puces dans un seul boîtier procure davantage d’économies d’espace en réduisant considérablement la superficie. Par exemple, le remplacement de deux MOSFET TO-252 à une puce par un seul HSOP8 décroît l’emprise de 77%. Par la suite, ROHM continuera à étendre sa gamme de MOSFET doubles à des tensions de tenue idéales pour les équipements industriels tout en développant des variantes à faible bruit. Cela devrait contribuer à résoudre des enjeux sociétaux tels que la protection de l’environnement en économisant de l’espace et en réduisant la consommation de courant dans différentes applications. (Fig. 2 + 3) Gamme de produits MOSFET doubles Nch+Nch (Fig. 4) MOSFET double Nch+Pch (Fig. 5) *Les produits 40 V, 60 V, 80 V et 150 V seront ajoutés à la gamme Exemples d’applications - Moteurs de ventilateurs pour les stations de base de communication - Moteurs de ventilateurs pour l’automatisation d’usine et autres équipements industriels - Moteurs de ventilateurs pour les serveurs de centres de données etc. (Fig. 6 + 7) Combinaison avec un circuit intégré « pré-pilote » pour parvenir à la solution optimale d’entraînement du moteur La combinaison de ces produits avec les circuits intégrés « pré-pilote » de ROHM établis sur le marché pour les moteurs monophasés/triphasés sans balais permettent d’envisager des moteurs encore plus petits avec une consommation moindre et un entraînement plus silencieux. En fournissant une prise en charge totale pour la conception de circuit périphérique associant la série de MOSFET doubles à des circuits intégrés « pré-pilote», ROHM peut proposer les meilleures solutions d’entraînements motorisés pour répondre aux besoins des clients. Exemples de solutions avec des MOSFET doubles 100V - HT8KE5 (Nch+Nch Dual MOSFET) + BM64070MUV (circuit intégré « pré-pilote » moteur 3 phases sans balais) - HT8KE6 (Nch+Nch Dual MOSFET) + BM64300MUV (circuit intégré « pré-pilote » moteur 3 phases sans balais) et autres modèles Information ventes en ligne Date de lancement des ventes : Août 2023 Distributeurs en ligne : Farnell, DigiKey et Mouser Les produits seront proposés par d’autres distributeurs en ligne au fur et à mesure de leur disponibilité. Télécharger de nouvelles spécifications de produits pour les moteurs Les spécifications pour nos MOSFET à basse/moyenne/haute tension, incluant de nouveaux produits peuvent être téléchargées depuis le site Web de ROHM. https://www.rohm.com/new-product/middle-power Consultez le site Web de ROHM pour de plus amples informations https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2023-10-18_news_mosfet&defaultGroupId=false

À propos de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant au 31 mars 2023 un chiffre d’affaires de 507,8 milliards de yens (3,9 milliards US Dollar) et qui compte plus de 23 700 employés. La société développe et fabrique une vaste gamme de produits allant des diodes et MOSFET SiC, des circuits intégrés analogiques comme les Gate Driver et les Power Management ICs, jusqu’aux transistors et diodes de puissance et composants passifs. Les produits hautement performants de ROHM sont fabriqués dans des usines à la pointe de la technologie au Japon, en Allemagne, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines et en Chine. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf, d’où elle officie pour la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, veuillez consulter le site www.rohm.com