ROHM lance un HEMT au GaN de 650 V dans un boîtier TOLL compact à haute dissipation thermique |
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Accélération du développement vers la production en série d’appareils au GaN pour les applications automobiles |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 27 février 2025 – ROHM a développé un HEMT au GaN de 650V dans le boîtier TOLL (TO-LeadLess) : le GNP2070TD-Z. De conception compacte, avec une excellente dissipation de la chaleur, une capacité de courant élevée et des performances de commutation supérieures, le boîtier TOLL est de plus en plus adopté dans les applications nécessitant une puissance élevée, en particulier à l’intérieur des équipements industriels et des systèmes automobiles. Pour ce lancement, la fabrication du boîtier a été confiée à ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO, LTD. (ci-après ATX), un fournisseur OSAT (assemblage et de tests de semiconducteurs externalisés) chevronné. (Fig. 1) L’amélioration de l’efficience des moteurs et des alimentations en courant, qui représente l’essentiel de la consommation mondiale d’électricité, est devenue un défi important à la réalisation d’une société décarbonée. Comme les appareils d’alimentation en courant sont la clé de l’amélioration de l’efficience, l’adoption de nouveaux matériaux tels que le SiC (carbure de silicium) et le GaN devrait encore améliorer l’efficience des alimentations en courant. (Fig. 2) ROHM a commencé en avril 2023 la production en série de la 1ère génération de ses HEMT au GaN de 650V, suivie par la mise sur le marché de circuits intégrés d’étage de puissance combinant un Gate Driver et un HEMT au GaN de 650V dans un seul boîtier. Cette fois, ROHM a développé un produit incorporant des éléments de 2e génération dans un boîtier TOLL, et l’a ajouté au boîtier DFN8080 existant pour renforcer la gamme de boîtiers de HEMT au GaN 650V de ROHM, répondant ainsi à la demande du marché pour des applications de haute puissance encore plus petites et plus efficientes. Les nouveaux produits intègrent des puces GaN-sur-Si de 2e génération dans un boîtier TOLL, atteignant des valeurs de pointe dans l’industrie dans les grandeurs de l’appareil qui mettent en corrélation la résistance à l'état passant et la charge de sortie (RDS(on) × Qoss). Cela contribue à accroître encore la miniaturisation et le rendement énergétique des systèmes d’alimentation qui nécessitent une résistance à la tension élevée et une commutation à grande vitesse. Pour parvenir à une production en série, ROHM s’est appuyé sur une technologie et une expertise exclusive en matière de conception d’appareils, cultivées grâce à un système de production verticalement intégré, pour réaliser la conception et la planification. Dans le cadre de la collaboration annoncée le 10 décembre 2024, les processus en amont sont réalisés par Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC). Les processus en aval sont gérés par ATX. En outre, ROHM prévoit de s’associer à ATX pour produire des appareils au GaN de qualité automobile. En réponse à l’adoption croissante des appareils au GaN dans le secteur automobile, appelée à accélérer en 2026, ROHM prévoit d’assurer l’introduction rapide d’appareils au GaN de qualité automobile en renforçant ces partenariats en plus de la poursuite de ses propres efforts de développement. Liao Hongchang, Directeur et Directeur général d’ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO, LTD. « Nous sommes très heureux de nous être vus confier la production par ROHM, une société réputée pour ses technologies de fabrication avancées et ses installations de production internes qui couvrent tout, de la fabrication des tranches jusqu’à l’encapsulation. Nous avons entamé des échanges techniques avec ROHM en 2017 et explorons actuellement les possibilités d’une collaboration plus approfondie. Ce partenariat a été rendu possible grâce à l’expérience et à l’expertise technique d’ATX dans le domaine de la fabrication en aval d’appareils au GaN. À l’avenir, nous prévoyons également de collaborer au développement en cours par ROHM d’appareils au GaN de qualité automobile. En renforçant notre partenariat, nous souhaitons contribuer aux économies d’énergie dans divers secteurs industriels et à la mise en place d’une société durable. » Satoshi Fujitani, Directeur général, AP Production Headquarters, ROHM Co., Ltd. « Nous sommes ravis d’avoir réussi à produire des HEMT au GaN de 650V dans le boîtier TOLL, avec des performances suffisantes. ROHM propose non seulement des appareils au GaN autonomes, mais aussi des solutions d’alimentation qui les combinent avec des circuits intégrés, en tirant parti de l’expertise de ROHM dans le domaine de la technologie analogique. Les connaissances et la philosophie acquises lors de la conception de ces produits sont également appliquées au développement des appareils. La collaboration avec des OSAT tels qu’ATX, qui possèdent des capacités techniques avancées, nous permet de rester en tête sur le marché du GaN en croissance rapide, tout en utilisant les atouts de ROHM pour mettre sur le marché des appareils innovants. À l’avenir, nous continuerons à améliorer les performances des appareils au GaN afin de promouvoir une miniaturisation et une efficience accrues dans de nombreuses applications, contribuant ainsi à enrichir la vie des gens. » La marque EcoGaN™ Fait référence à la nouvelle gamme d’appareils au GaN de ROHM qui contribuent aux économies d’énergie et à la miniaturisation en maximisant les caractéristiques du GaN pour réduire la consommation d’énergie des applications, la taille des composants périphériques et simplifier les conceptions en utilisant moins de pièces. EcoGaN™ est une marque commerciale ou marque commerciale déposée de ROHM Co., Ltd. Gamme de produits (Fig. 3) Exemples d’applications Alimentation en courant pour serveurs, stations de base de communication, équipements industriels et autres. Adaptateurs AC (chargeurs USB), onduleurs PV, systèmes de stockage d’énergie (SSE). Une large gamme de systèmes d’alimentation en courant avec une puissance de sortie de 500W à 1kW peut être installée. Informations sur la vente en ligne Date de lancement des ventes : décembre 2024 Numéro de pièce applicable : GNP2070TD-ZTR Les produits seront disponibles chez DigiKey™, Mouser™ et Farnell™ à partir du mois de mars, et seront proposés chez d’autres distributeurs en ligne au fur et à mesure de leur disponibilité. Note : DigiKey™, Mouser™ et Farnell™ sont des marques commerciales ou des marques commerciales déposées de leurs entreprises respectives. *Étude de ROHM du 27 février 2025 |
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À propos d’ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., Ltd. ATX est une société OSAT basée à Weihai, dans la province de Shandong en Chine, spécialisée dans l’assemblage et le test d’appareils d’alimentation. Nous prenons en charge plus de 50 types de boîtiers, y compris les MOSFET, les IGBT, les appareils SiC et GaN, avec une capacité de production annuelle supérieure à 5,7 milliards d’unités. Les produits d’ATX sont largement utilisés dans les équipements industriels, les systèmes automobiles, les applications d’énergie renouvelable telles que l’énergie solaire et l’électronique grand public. Nous détenons notamment une forte part de marché dans le secteur des commandes des véhicules électriques, en fournissant des marques reconnues à l’échelon international. En tant qu’entreprise de premier plan dans le développement d’appareils à semiconducteurs de nouvelle génération utilisant des propriétés intellectuelles et des technologies clés exclusives, ATX a établi des relations de collaboration étroites et à long terme avec les 10 plus grandes entreprises d’appareils d’alimentation au monde. Pour de plus amples informations, veuillez consulter le site Web d’ATX :http://www.atxwh.com À propos de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant au 31 mars 2024 un chiffre d’affaires de 467,7 milliards de yens (3,2 milliards US Dollar) et qui compte plus de 23 300 employés. La société développe et fabrique une vaste gamme de produits allant des diodes et MOSFET SiC, des circuits intégrés analogiques comme les Gate Driver et les Power Management ICs, jusqu’aux transistors et diodes de puissance et composants passifs. Les produits hautement performants de ROHM sont fabriqués dans des usines à la pointe de la technologie au Japon, en Allemagne, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines et en Chine. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf, d’où elle officie pour la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, veuillez consulter le site www.rohm.com |