ROHM presenta i nuovi MOSFET SiC in package a 4 pin

Serie SCT3xxx xR: la perdita di commutazione, fino al 35% inferiore rispetto ai package convenzionali, riduce il consumo di potenza dei dispositivi

Willich-Münchheide, Germania, 08 ottobre 2019 – ROHM ha comunicato oggi la disponibilità di sei nuovi MOSFET SiC a struttura trench gate (650 V/1200 V), vale a dire la serie SCT3xxx xR-Serie, ideale per alimentatori per server, sistemi UPS, inverter per fotovoltaico e stazioni di ricarica per veicoli elettrici che necessitano di elevata efficienza. La serie SCT3xxx xR si avvale di un package a 4 pin (TO-247-4L) che massimizza la prestazione di commutazione, rendendo possibile la riduzione della perdita di commutazione fino al 35% rispetto ai tipi di package a 3 pin convenzionali (TO-247N) e contribuendo al calo del consumo di potenza in un gran numero di applicazioni. Negli ultimi anni le crescenti esigenze in termini di servizi cloud, riconducibili alla diffusione dell'AI e dell'IoT, hanno aumentato la domanda di centri di elaborazione dati in tutto il mondo. Ma per i server utilizzati nei centri di elaborazione dati una delle sfide più importanti è come ridurre i consumi di potenza, nonostante l'aumento di capacità e performance. Contemporaneamente i dispositivi SiC stanno attirando l'attenzione per l'impiego nei circuiti di conversione di potenza dei server grazie alla perdita più contenuta rispetto ai dispositivi mainstream in silicio. Inoltre, siccome il package TO-247-4L consente di ridurre la perdita di commutazione rispetto ai package convenzionali, se ne prevede l'adozione in applicazioni ad alto rendimento, quali server, base station e generatori di potenza fotovoltaica. Dal 2015 ROHM è la prima a fornire con successo la produzione in massa dei MOSFET SiC del tipo trench, restando leader del settore per lo sviluppo di questi prodotti. Oltre a questi MOSFET SiC di ultima generazione, ad elevata efficienza e da 650 V/1200 V, ci impegniamo nello sviluppo di dispositivi innovativi e proponiamo soluzioni che contribuiscono a ridurre il consumo di potenza in un gran numero di dispositivi, compresi i circuiti integrati per gate driver, ottimizzati per pilotaggio dei SiC. ROHM propone anche soluzioni che agevolano la valutazione delle applicazioni, compresa un'evaluation board per MOSFET SiC, mod. P02SCT3040KR-EVK-001, munita di circuiti integrati per gate driver (BM6101FV-C) unitamente a circuiti integrati di potenza multipli e a componenti discreti ottimizzati per il pilotaggio di dispositivi SiC. Caratteristiche fondamentali Il package a 4 pin (TO-247-4L) riduce la perdita di commutazione fino al 35% Con i package a 3 pin convenzionali (TO-247N), la tensione di gate effettiva al chip si riduce per la tensione caduta attraverso l'induttanza parassita del terminale sorgente. È questo il motivo del calo della velocità di commutazione. L'adozione del package TO-247-4L a 4 pin vede la separazione del driver e dei pin della fonte di alimentazione, riducendo al minimo gli effetti della componente dell'induttanza parassita. In tal modo è possibile massimizzare la velocità di commutazione dei MOSFET SiC, riducendo la perdita di commutazione totale (attivazione e disattivazione) fino ad una quota del 35% rispetto al package tradizionale. Linea La serie SCT3xxx xR è costituita da MOSFET SiC che si avvalgono di una struttura trench gate. L'offerta comprende sei modelli, caratterizzati da una tensione di scarica disruptiva o di 650 V (3 prodotti) o di 1200 V (3 prodotti). (ver tabla) Applicazioni Sistemi UPS, inverter per fotovoltaico, sistemi di accumulo di potenza, stazioni di ricarica per veicoli elettrici, alimentazione di server farm, base station e molto altro. Disponibilità: immediata Evaluation board L'evaluation board per MOSFET SiC di ROHM (P02SCT3040KR-EVK-001) è dotata dei nostri circuiti integrati per gate driver (BM6101FV-C), ottimizzati per il pilotaggio di dispositivi SiC, unitamente a circuiti integrati di potenza multipli e a componenti discreti supplementari che agevolano la valutazione e lo sviluppo delle applicazioni. La compatibilità con entrambi i tipi di package, ossia TO-247-4L e TO-247N, consente la valutazione di entrambi i package applicando le stesse condizioni. La scheda è utilizzabile per il test a doppio impulso nonché per la valutazione dei componenti nei circuiti boost, nei circuiti per inverter a 2 livelli e nei circuiti buck con rettifica sincrona. Cod. prodotto evaluation board: P02SCT3040KR-EVK-001 Pagina di supporto: https://www.rohm.com/power-device-support Configurazione dell'evaluation board (ver figura)

Informazioni su ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor è una società presente a livello globale da 398.989 milioni di yen (3,652 miliardi di US $ al 31 marzo 2019) e 22.899 dipendenti. ROHM Semiconductor sviluppa e produce una vasta gamma di soluzioni tra cui microcontrollori a bassissima potenza; standard IC per Power Management; transistor e diodi di potenza, diodi, MOSFET e moduli SiC; LED e componenti passivi come resistenze, condensatori al tantalio e LED; testine di stampa termiche. La società dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine, Cina e Europa. LAPIS Semiconductor (in precedenza OKI Semiconductor), SiCrystal AG e Kionix sono società del gruppo ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com/eu