ROHM presenta i nuovi diodi a barriera Schottky da 200 V con corrente inversa (IR) ultrabassa

Questi prodotti assicurano un funzionamento stabile in ambienti caratterizzati da temperature elevate e contribuiscono a ridurre il consumo di potenza e il fabbisogno di spazio nei sistemi automotive.

Willich-Münchheide, Germania, 19 novembre 2019 – ROHM ha annunciato oggi la disponibilità di diodi a barriera Schottky (SBD) da 200 V con corrente inversa (IR) ultrabassa, ottimizzati per applicazioni automotive, powertrain e veicoli elettrici ed ibridi inclusi. Già testati sul mercato automotive giapponese i diodi RBxx8BM/NS200, utilizzabili in presenza di temperature elevate, vanno ad ampliare la linea di SBD RBxx8. Questa nuova serie si caratterizza per una corrente di dispersione inversa (IR) ultrabassa, grazie alla quale è possibile ottenere un'elevata tensione di tenuta di 200 V. La sostituzione dei diodi a recupero rapido (Fast Recovery Diodes, FRD) e dei diodi raddrizzatori, solitamente impiegati nei sistemi automotive, con i nuovi SBD di ROHM consentirà di migliorare significativamente i valori di tensione diretta (VF) (inferiori dell'11% rispetto ai diodi FRD convenzionali). Ciò limita le perdite di potenza dell'applicazione consentendo al contempo dimensioni dei package più ridotte e una minore generazione di calore, nonché contribuendo ad un maggiore risparmio di spazio. (fig. 1) Negli ultimi anni il trend tecnologico nei sistemi di azionamento per veicoli mild hybrid da 48 V è l'integrazione meccanica, che prevede la combinazione di motore e circuiti periferici in un singolo modulo. Ciò richiede SBD ad elevata efficienza e ad alta tensione, in grado di garantire un funzionamento stabile a temperature elevate. Allo stesso tempo, è richiesto l'impiego di SBD con tensioni più elevate in sistemi che utilizzano componenti convenzionali da 150 V per migliorarne la funzionalità e l'affidabilità. ROHM offre già da tempo la linea RBxx8 di SBD a corrente inversa (IR) ultrabassa che resiste fino a 150 V ed è compatibile con gli ambienti automotive caratterizzati da temperature elevate. Questa ultima serie va ad aggiungersi alla linea modelli da 200 V, studiati appositamente per soddisfare i nuovi requisiti del settore automotive. ROHM continuerà a potenziare la sua linea e a dare il proprio contributo alla riduzione dei consumi di potenza e all'aumento del risparmio di spazio in una vasta gamma di applicazioni, sia nel settore industriale che in quello automotive. (fig. 2+3) Caratteristiche fondamentali Secondo le previsioni, gli SBD con efficienza superiore andranno a sostituire i diodi raddrizzatori convenzionali e gli FRD negli alimentatori di potenza destinati al settore automotive ed esposti a temperature elevate. Tuttavia, un inconveniente degli SBD è rappresentato dalle loro caratteristiche degradate di IR che, a temperature di esercizio più alte, possono provocare il cosiddetto thermal runaway, da cui la necessità di prodotti che garantiscano un funzionamento stabile a temperature più elevate. (fig. 4) La serie RBxx8 utilizza un metallo barriera ottimizzato per temperature elevate che migliora significativamente le caratteristiche della corrente inversa IR (si tratta forse della sfida più importante quando si usano gli SBD per l'alimentazione nel settore automotive). Ciò garantisce un funzionamento sicuro a temperature elevate in applicazioni automotive ed industriali, eliminando la possibilità che si verifichi il thermal runaway. 1. Sostituendo gli FRD si riduce il consumo di potenza dell'applicazione Una corrente inversa IR ultrabassa consente a ROHM di raggiungere una tensione di tenuta elevata, pari a 200 V. In questo modo è possibile sostituire i diodi FRD da 200 V usati nei sistemi automotive con SBD ad efficienza elevata. Possiamo perciò affermare che la serie RBxx8BM/NS200 riduce i valori di tensione diretta (VF) dell'11% rispetto ai diodi FRD convenzionali, contribuendo così a limitare le perdite di potenza dell'applicazione. 2. Una generazione di calore inferiore riduce le dimensioni del package, contribuendo a risparmi di spazio maggiori in una grande varietà di applicazioni Attraverso la riduzione della tensione diretta VF è possibile ridurre al minimo la generazione di calore, mettendo così gli utenti nelle condizioni di adottare un package di dimensioni minori rispetto alle soluzioni convenzionali. ROHM sta sviluppando attualmente package di media potenza e prevede di diminuire l'area di montaggio del 71% sostituendo i diodi FRD di dimensioni pari a 5,9 mm × 6,9 mm con prodotti compatti che misurano 2,5 mm × 4,7 mm. (fig. 5) Linea L'aggiunta di questi otto nuovi modelli da 200 V porta a 212 il numero totale di prodotti all'interno della linea RBxx8. (fig. 6) Disponibilità: immediata Applicazioni Applicazioni nel settore automotive (ovvero veicoli elettrici e ibridi) come powertrain, inverter industriali e vari tipi di alimentatori

Informazioni su ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor è una società presente a livello globale da 398.989 milioni di yen (3,652 miliardi di US $ al 31 marzo 2019) e 22.899 dipendenti. ROHM Semiconductor sviluppa e produce una vasta gamma di soluzioni tra cui microcontrollori a bassissima potenza; standard IC per Power Management; transistor e diodi di potenza, diodi, MOSFET e moduli SiC; LED e componenti passivi come resistenze, condensatori al tantalio e LED; testine di stampa termiche. La società dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine, Cina e Europa. LAPIS Semiconductor (in precedenza OKI Semiconductor), SiCrystal AG e Kionix sono società del gruppo ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com/eu