ROHM e Delta Electronics danno vita a una partnership strategica per lo sviluppo di dispositivi di potenza per i sistemi di potenza

Accelerazione dell'innovazione tecnologica nei sistemi di potenza incentrati su dispositivi di potenza GaN

Willich-Münchheide, Germania, 28 aprile 2022 – Il fornitore globale di semiconduttori ROHM e il produttore di alimentatori di livello mondiale Delta Electronics hanno sottoscritto una partnership strategica per lo sviluppo e la produzione in massa di dispositivi di potenza GaN (nitruro di gallio) di prossima generazione. La combinazione della tecnologia di sviluppo di dispositivi di potenza di Delta studiata nel corso di molti anni e della collaudata competenza di ROHM, relativamente allo sviluppo di sistemi di potenza nonché alla loro produzione, consentirà di sviluppare dispositivi di potenza GaN con una tensione di scarica disruptiva di 600 V ottimizzati per un'ampia gamma di sistemi di potenza. ROHM ha già implementato nel marzo 2022 un sistema di produzione in massa per i dispositivi GaN HEMT da 150 V con una rivoluzionaria tensione di tenuta di gate di 8 V. Questo le consentirà di ampliare la sua nuova line-up di EcoGaN™ per i circuiti di potenza nelle apparecchiature industriali e di comunicazione IoT (ovvero centri di elaborazione dati e base station), migliorando nel contempo ulteriormente le prestazioni dei dispositivi. Kazuhide Ino, amministratore delegato e CSO di ROHM Co., Ltd. "ROHM è estremamente lieta di avere sottoscritto una partnership strategica per i dispositivi di potenza GaN con Delta, leader globale nel campo della gestione termica ed energetica. Dal momento che i semiconduttori di potenza – un'area di interesse chiave per ROHM – rivestono un ruolo sempre più importante ai fini del conseguimento di una società decarbonizzata, ROHM continuerà a sviluppare dispositivi avanzati in una serie di campi utilizzando Si, SiC e GaN, insieme a soluzioni che combinano componenti periferici come i circuiti integrati di controllo che ne massimizzano le prestazioni. Attraverso questa partnership, ROHM produrrà in massa dispositivi di potenza GaN che possono contribuire alla configurazione di sistemi di potenza più efficienti e svilupperà IPM GaN che integrano circuiti integrati analogici (uno dei punti di forza di ROHM) in una fase iniziale, ampliando ulteriormente la nostra line-up di prodotti di facile utilizzo." Mark Ko, vicepresidente di Delta Electronics, Inc. "Lo sviluppo di dispositivi di potenza GaN è particolarmente interessante per il settore dell'elettronica globale. Collaboriamo con ROHM da molti anni e siamo davvero lieti che lo scambio tecnico di quest'anno produrrà finalmente risultati, una vera e propria pietra miliare per entrambe le aziende che servirà ad avvicinarci ancora di più. Oltre alla collaborazione sui dispositivi GaN, Delta sta cercando di potenziare ulteriormente la sua line-up di prodotti come strategia aziendale chiave, con elevate aspettative per lo sviluppo di prodotti utilizzando i punti di forza di ROHM nel campo dei dispositivi analogici (Nano) e di altre tecnologie. Crediamo che il potenziamento della nostra collaborazione con ROHM ci consentirà di offrire un'ampia gamma di soluzioni in grado di soddisfare le esigenze del mercato dell'alimentazione globale." Il miglioramento dell'efficienza di motori e alimentatori, che si dice costituiscano la quota maggiore del consumo di elettricità a livello mondiale, rappresenta uno scoglio significativo lungo la strada che porta a una società decarbonizzata. Dal momento che i dispositivi di potenza sono fondamentali per il miglioramento dell'efficienza, si prevede che l'adozione di nuovi materiali come SiC e GaN aumenterà ulteriormente l'efficienza degli alimentatori. Le aziende ROHM e Delta si sono impegnate in scambi tecnologici e nella costruzione di un rapporto di cooperazione per lo sviluppo di varie applicazioni da molti anni; attraverso questa partnership entrambe le aziende svilupperanno e produrranno in massa i dispositivi di potenza GaN più avanzati del settore che massimizzano le prestazioni GaN per accelerare l'innovazione tecnologica nel campo della potenza e contribuire a creare una società sostenibile. EcoGaN™ EcoGaN™ è la nuova line-up di dispositivi GaN di ROHM che contribuisce alla preservazione dell'energia e alla miniaturizzazione massimizzando le caratteristiche di bassa resistenza di ON e commutazione ad alta velocità di GaN con l'obiettivo di ottenere un minor consumo di potenza delle applicazioni, componenti periferici più piccoli e progetti più semplici che richiedono un minor numero di componenti. *EcoGaN™ è un marchio commerciale o un marchio commerciale registrato di ROHM Co., Ltd.

Informazioni su ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor è una società globale da 3,295 miliardi di US $ al 31 marzo 2021 e 22.370 dipendenti. La società sviluppa e produce una vastissima gamma di soluzioni comprendente diodi SiC e MOSFET, IC analogici quali gate driver e IC per la gestione della potenza, ma anche transistori e diodi di potenza e componenti passivi. Inoltre, dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine e Cina, nei quali avviene la produzione dei suoi prodotti altamente performanti. LAPIS Technology (in precedenza OKI Semiconductor), SiCrystal GmbH e Kionix sono società del gruppo ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com