I nuovi MOSFET a canale N di ROHM offrono affidabilità di montaggio elevata per le applicazioni automotive

I design con qualifica AEC-Q101 contribuiscono a una maggiore miniaturizzazione e a un'elevata efficienza di funzionamento

Willich-Münchheide, Germania, 19 settembre 2024 – ROHM ha lanciato MOSFET a canale N – modelli RF9x120BKFRA / RQ3xxx0BxFRA / RD3x0xxBKHRB – caratterizzati da bassa resistenza di ON e pertanto ideali per un gran numero di applicazioni automotive, compresi i motori per l'automazione delle porte e la regolazione dei sedili, nonché i fari anteriori a LED. La commercializzazione iniziale consta di 10 modelli basati su 3 tipi di package, ma in futuro si prevede l'ampliamento della line-up. (Fig. 1) Il settore automotive sta affrontando un'impennata del numero di componenti elettronici richiesti, trainata dall'esigenza di aumentare la sicurezza e il comfort. Al tempo stesso sussiste l'urgente necessità di migliorare l'efficienza di potenza per ottimizzare i consumi di carburante ed elettricità. Attualmente è aumentata la richiesta di una resistenza di ON più bassa, per ridurre al minimo sia le perdite che lo sviluppo di calore specialmente nei MOSFET essenziali per le applicazioni di commutazione nei sistemi automotive. ROHM, da sempre fornitrice di MOSFET a bassa resistenza di ON destinati alle apparecchiature di consumo e industriali, adesso estende tale tecnologia al settore automotive. L'adattamento degli innovativi processi a media tensione per soddisfare i rigorosi requisiti di affidabilità dei prodotti per l'automotive ci ha consentito di sviluppare 10 modelli di MOSFET a canale N caratterizzati da bassa resistenza di ON. Offerti con tensioni nominali di 40 V, 60 V, e 100 V, i nuovi prodotti integrano una struttura a gate diviso per ottenere una bassa resistenza di ON, caratteristica che contribuisce a un funzionamento assai più efficiente nelle applicazioni automotive. Tutti modelli presentano la qualifica di conformità allo standard AEC-Q101 di affidabilità per il settore automotive, garantendo un livello eccezionalmente alto. Gli utenti possono scegliere tra tre tipi di package, a seconda dell'applicazione. Per apparecchiature destinate a spazi estremamente ridotti, come i sistemi avanzati di assistenza alla guida (Advanced Driver Assistance Systems – ADAS), i package compatti DFN2020Y7LSAA (2,0 mm × 2,0 mm) e HSMT8AG (3,3 mm × 3,3 mm) rappresentano la soluzione ideale. Invece per le applicazioni di potenza destinate al settore automotive è disponibile anche il package TO-252 (DPAK – 6,6 mm × 10,0 mm), ampiamente diffuso. Inoltre, ROHM ha ulteriormente migliorato l'affidabilità di montaggio ricorrendo alla tecnologia Wettable Flank per il package DFN2020Y7LSAA e a terminali ad ala di gabbiano per il package TO-252. Per il futuro, ROHM prevede di ampliare la sua line-up di MOSFET a canale N e a media tensione per assicurare una miniaturizzazione addirittura maggiore e un'efficienza più elevata nell'ambito delle applicazioni automotive. La produzione in massa dei package DFN3333 (3,3 mm × 3,3 mm) e HPLF5060 (5,0 mm × 6,0 mm) è programmata per ottobre 2024, mentre i prodotti da 80 V seguiranno nel 2025. In futuro è previsto anche il lancio dei prodotti a canale P. Line-up di prodotti (Fig. 2) Esempi applicativi Motori per veicoli (per es. porte, regolazione dei sedili, alzacristalli elettrici) Fari anteriori LED Infotainment / display per auto Sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS) Informazioni sulle vendite Internet Distributori online: DigiKey, Mouser e Farnell Disponibilità: immediata (quantità OEM) I prodotti saranno offerti anche presso altri distributori online, non appena saranno disponibili (data di lancio delle vendite: giugno 2024). Per ulteriori informazioni visitate il sito web di ROHM https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2024-09-18_news_mosfet&defaultGroupId=false

Informazioni su ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor è una società globale da 467,7 miliardi di Yen (3,2 miliardi US Dollar) al 31 marzo 2024 con oltre 23.300 dipendenti. La società sviluppa e produce una vastissima gamma di soluzioni comprendente diodi SiC e MOSFET, IC analogici quali gate driver e IC per la gestione della potenza, ma anche transistori e diodi di potenza e componenti passivi. Inoltre, dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Germania, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine e Cina, nei quali avviene la produzione dei prodotti altamente performanti. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com