ROHM lancia HEMT al GaN da 650 V in un package TOLL compatto a elevata dissipazione del calore

Per accelerare lo sviluppo verso la produzione di massa di dispositivi GaN per applicazioni automotive

Willich-Münchheide, Germania, 27 febbraio 2025 – ROHM ha sviluppato degli HEMT al GaN da 650 V nel package TOLL (TO-LeadLess): si tratta di GNP2070TD-Z. Caratterizzato da un design compatto con un'eccellente dissipazione del calore, un'elevata capacità di corrente e prestazioni di commutazione superiori, il package TOLL è sempre più adottato nelle applicazioni che richiedono la gestione di una potenza elevata, in particolare all'interno di apparecchiature industriali e sistemi automotive. Per questo lancio, la produzione dei package è stata affidata ad ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD. (di seguito ATX), un fornitore OSAT (Outsourced Semiconductor Assembly and Test) di lunga esperienza. (Fig. 1) Il miglioramento dell'efficienza di motori e alimentatori, a cui è attribuibile la quota maggiore del consumo di elettricità a livello mondiale, rappresenta una sfida importante lungo la strada che porta a una società decarbonizzata. Dal momento che i dispositivi di potenza sono elementi chiave per il miglioramento dell’efficienza, l'adozione di nuovi materiali, come il GaN e il SiC (rispettivamente nitruro di gallio e carburo di silicio), è fondamentale per migliorare l'efficienza degli alimentatori. (Fig. 2) ROHM ha iniziato la produzione in massa della prima generazione di HEMT al GaN da 650 V nell'aprile 2023, seguita dal rilascio di circuiti integrati per stadi di potenza che combinano un gate driver e un HEMT al GaN da 650 V in un unico package. Questa volta ROHM ha sviluppato un prodotto che incorpora elementi di seconda generazione in un package TOLL e lo ha aggiunto al package DFN8080 esistente per rafforzare la sua line-up di package di HEMT al GaN da 650 V, rispondendo così al mercato che richiede applicazioni ad alta potenza ancora più piccole e più efficienti. I nuovi prodotti integrano chip GaN-on-Si di seconda generazione in un package TOLL, raggiungendo valori leader del settore nella metrica del dispositivo che mette in relazione la resistenza di ON e la carica in uscita (RDS(on) × Qoss). Ciò contribuisce a un'ulteriore miniaturizzazione e all'efficienza energetica dei sistemi di potenza che richiedono una resistenza ad alta tensione e una commutazione ad alta velocità. Per raggiungere la produzione di massa, ROHM ha sfruttato la tecnologia proprietaria e l'esperienza nella progettazione dei dispositivi, coltivata attraverso un sistema di produzione ad integrazione verticale, per realizzare la progettazione e la pianificazione. Nell'ambito della collaborazione annunciata il 10 dicembre 2024, i processi front-end sono eseguiti da Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC). I processi back-end sono gestiti da ATX. Inoltre, ROHM intende collaborare con ATX per produrre dispositivi GaN destinati al settore automotive. In risposta alla crescente adozione di dispositivi GaN nel settore automotive, che si prevede accelererà nel 2026, ROHM intende garantire la rapida introduzione di dispositivi GaN specifici per questo settore sia rafforzando queste partnership, sia continuando a portare avanti i propri sforzi di sviluppo. Liao Hongchang, Amministratore e Direttore Generale, ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD. "Siamo estremamente soddisfatti che ROHM, azienda rinomata per le sue tecnologie di produzione avanzate e per i suoi impianti di produzione interni che coprono tutto, dalla fabbricazione dei wafer al confezionamento, abbia affidato a noi la produzione. Abbiamo iniziato gli scambi tecnici con ROHM nel 2017 e stiamo attualmente esplorando le possibilità di una collaborazione più profonda. Questa partnership è stata resa possibile grazie all'esperienza e alla competenza tecnica di ATX nella produzione back-end di dispositivi GaN. In prospettiva, abbiamo anche in programma di collaborare allo sviluppo continuo di ROHM di dispositivi GaN per il settore automotive. Rafforzando la nostra partnership, intendiamo contribuire alla preservazione dell'energia in vari settori e alla realizzazione di una società sostenibile." Satoshi Fujitani, Direttore generale della sede di produzione AP di ROHM Co., Ltd. "Siamo fieri di aver prodotto con successo HEMT al GaN da 650 V nel package TOLL, ottenendo prestazioni sufficienti. ROHM non solo offre dispositivi GaN standalone, ma fornisce anche soluzioni di potenza che li combinano con circuiti integrati, sfruttando la propria expertise nella tecnologia analogica. Le conoscenze e la filosofia coltivate nella progettazione di questi prodotti vengono applicate anche allo sviluppo dei dispositivi. La collaborazione con OSAT come ATX, che possiede capacità tecniche avanzate, ci permette di essere all'avanguardia nel mercato GaN in rapida crescita e di utilizzare i punti di forza di ROHM per lanciare sul mercato dispositivi innovativi. In futuro, continueremo a migliorare le prestazioni dei dispositivi GaN per promuovere una maggiore miniaturizzazione ed efficienza in una vasta gamma di applicazioni, contribuendo ad arricchire la vita delle persone." Marchio EcoGaN™ È la denominazione della nuova line-up di dispositivi GaN di ROHM che contribuisce alla preservazione dell'energia e alla miniaturizzazione portando ai massimi livelli le caratteristiche del GaN. L'obiettivo è di ottenere un minor consumo di potenza delle applicazioni, componenti periferici ridotti e progetti più semplici che richiedono un minor numero di componenti. EcoGaN™ è un marchio commerciale o un marchio commerciale registrato di ROHM Co., Ltd. Line-up di prodotti (Fig. 3) Esempi applicativi Alimentatori di potenza per server, stazioni base di comunicazione, apparecchiature industriali e altro ancora. Adattatori AC (caricabatterie USB), inverter fotovoltaici, ESS (Energy Storage System, sistemi di accumulo di energia). Installazione possibile in un'ampia gamma di sistemi di alimentazione con potenza di uscita da 500 W a 1 kW. Informazioni sulle vendite online Data di lancio delle vendite: Dicembre 2024 Codice prodotto applicabile: GNP2070TD-ZTR I prodotti saranno disponibili presso DigiKey™, Mouser™ e Farnell™ a partire da marzo e offerti anche presso altri distributori online, non appena saranno a disposizione. Nota bene: DigiKey™, Mouser™ e Farnell™ sono marchi commerciali o marchi commerciali registrati delle rispettive società. *Ricerca ROHM del 27 febbraio 2025

Informazioni su ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., Ltd. ATX è un'azienda OSAT con sede a Weihai, nella provincia cinese di Shandong, specializzata nell'assemblaggio e nel collaudo di dispositivi di potenza. Supportiamo oltre 50 tipi di package, tra cui MOSFET, IGBT, dispositivi SiC e GaN, con una capacità produttiva annua superiore a 5,7 miliardi di unità. I prodotti di ATX sono ampiamente utilizzati nelle apparecchiature industriali, nei sistemi automotive, nelle applicazioni di energia rinnovabile come l'energia solare e nell'elettronica di consumo. In particolare, deteniamo una forte quota di mercato nel settore del controllo dei veicoli elettrici, fornendo prodotti a marchi riconosciuti a livello internazionale. In qualità di azienda leader nello sviluppo di dispositivi a semiconduttore di nuova generazione che utilizza proprietà intellettuali e tecnologie di base esclusive, ATX ha stabilito rapporti di collaborazione stretti e a lungo termine con le 10 principali aziende di dispositivi di potenza del mondo. Per maggiori informazioni si prega di visitare il sito web di ATX: http://www.atxwh.com Informazioni su ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor è una società globale da 467,7 miliardi di Yen (3,2 miliardi US Dollar) al 31 marzo 2024 con oltre 23.300 dipendenti. La società sviluppa e produce una vastissima gamma di soluzioni comprendente diodi SiC e MOSFET, IC analogici quali gate driver e IC per la gestione della potenza, ma anche transistori e diodi di potenza e componenti passivi. Inoltre, dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Germania, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine e Cina, nei quali avviene la produzione dei prodotti altamente performanti. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com